Один из механизмов деградации микроэлектромеханических структур датчиков давления

  • С. А. Адарчин ОАО "Автоэлектроника", Калуга, Россия
  • А. С. Кушненков ОАО "Автоэлектроника", Калуга, Россия
  • Л. В. Кожитов КФ МГТУ им. Н. Э. Баумана, Калуга, Россия
  • В. Г. Косушкин МИСиС, Москва, Россия
Ключові слова: датчики давления, микроэлектромеханические структуры, механизм деградации, температурный гистерезис, возникновение отказов, математическая модель, надежность

Анотація

Установлен механизм деградации и возникновения отказов микроэлектромеханических структур датчиков давления. Предложена математическая модель изменения величины температурного гистерезиса выходного сигнала датчиков, установлена степень его влияния на надежность приборов. Предложены способы уменьшения величины и снижения скорости возрастания гистерезиса выходного сигнала микроэлектромеханических структур.

Опубліковано
2002-04-30
Як цитувати
Адарчин, С. А., Кушненков, А. С., Кожитов, Л. В., & Косушкин, В. Г. (2002). Один из механизмов деградации микроэлектромеханических структур датчиков давления. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (2), 55-57. вилучено із https://tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2002.2.55
Номер
№ 2 (2002): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2002 Адарчин С. А., Кужненков А. С., Кожитов Л. В., Косушкин В. Г.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.