Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора

  • Н. И. Леонов НПО «Интеграл», Минск, Беларусь
  • A. M. Лемешевская НПО «Интеграл», Минск, Беларусь
  • Н. Л. Дудар НПО «Интеграл», Минск, Беларусь
  • С. Н. Гетьман НПО «Интеграл», Минск, Беларусь
Ключові слова: рМОП-транзистор, технологический маршрут, моделирование

Анотація

По результатам моделирования определены тенденции изменения порогового напряжения р-канального МОП-транзистора в соответствии с изменениями удельного сопротивления эпитаксиальной пленки ρv и толщины подзатворного окисла d. Получены экспериментальные образцы в эпитаксиальных пленках с различными значениями ρv и d. Определены наиболее приемлемые (с учетом условий производства) значения ρv и d, позволяющие получить требуемые значения порогового напряжения исследуемого транзистора.

Опубліковано
2006-08-31
Як цитувати
Леонов, Н. И., ЛемешевскаяA. M., Дудар, Н. Л., & Гетьман, С. Н. (2006). Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (4), 45-47. вилучено із https://tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.4.45
Номер
№ 4 (2006): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2006 Леонов Н. И., Лемешевская А. М., Дудар Н. Л., Гетьман С. Н.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.