Алмазные многоэлементные фотоприемные устройства УФ-диапазона

  • A. A. Алтухов ООО «УралАлмазИнвест», Москва, Россия
  • A. Ю. Митягин Институт радиотехники и электроники, Фрязино, Россия
  • A. M. Клочкова Институт радиотехники и электроники, Фрязино, Россия
  • Г. А. Орлова Институт радиотехники и электроники, Фрязино, Россия
Ключові слова: многоэлементный, фотоприемное устройство, алмаз, ультрафиолетовое излучение

Анотація

Рассмотрены принципы построения и технология создания матричных фотоприемных устройств ультрафиолетового излучения на основе природного алмаза. Проведены измерения спектральных, вольт-амперных характеристик, темновых токов и токов утечки при различных прикладываемых напряжениях для линейчатых (2×64) и матричных (64×64) фотоприемных устройств. Показано, что поверхностные токи утечки играют доминирующую роль в ограничении фоточувствительности данных структур. Обнаружен значительный разброс темнового тока и фототока матричных фотоприемников на основе натурального алмаза, связанных с неоднородностью дефектной структуры.

Опубліковано
2008-06-30
Як цитувати
АлтуховA. A., МитягинA. Ю., КлочковаA. M., & Орлова, Г. А. (2008). Алмазные многоэлементные фотоприемные устройства УФ-диапазона. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (3), 3-6. вилучено із https://tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.3.03
Номер
№ 3 (2008): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2008 Алтухов А. А., Митягин А. Ю., Клочкова А. М., Орлова Г. А.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.