Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов

Анотація

Исследована зависимость времени восстановления тока trr от параметров отжига диодных структур после их облучения электронами е^– с энергией 4 и 10 МэВ флюэнсами 6·10¹⁵ и 8·10¹⁴ см^–2, соответственно. Диоды с минимальным временем t_rr и максимальным коэффициентом формы К_rr тока восстановления получены при отжиге структур после облучения е^– с энергией 4 МэВ и флюэнсом 6·10¹⁵ см^–2. Время t_rr уменьшается при увеличении отношения концентрации центров рекомбинации Е₃(0,37) к концентрации других дефектов. При этом для кремния, легированного при помощи трансмутационных ядерных реакций, необходимо повышать температуру отжига по сравнению с кремнием Чохральского и зонной плавки.