Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников

  • A. A. Захарченко ННЦ «Харьковский физико-технический институт», Украина
  • И. М. Прохорец ННЦ «Харьковский физико-технический институт», Украина
  • В. Е. Кутний ННЦ «Харьковский физико-технический институт», Украина
  • А. В. Рыбка ННЦ «Харьковский физико-технический институт», Украина
  • M. A. Хажмурадов ННЦ «Харьковский физико-технический институт», Украина
Ключові слова: подвижность, время жизни, полупроводниковые детекторы, полуизолирующие полупроводники, CdTe, CdZnTe, HgI2, метод Монте-Карло

Анотація

Разработан метод быстрого определения параметров переноса заряда в дозиметрических детекторах γ-излучения на основе высокоомных полупроводников. Рассмотрена задача расчета параметров переноса заряда в планарных детекторах γ-излучения на основе полуизолирующего CdTe (CdZnTe) с использованием их дозиметрических характеристик. На основе результатов имитационного моделирования показана применимость рассмотренного метода для HgI2 детекторов γ-излучения. Предложенный метод может использоваться при проектировании новых спектрометрических и дозиметрических приборов для контроля радиационной безопасности и контроля характеристик приборов в процессе эксплуатации в мощных радиационных полях.

Опубліковано
2008-06-30
Як цитувати
ЗахарченкоA. A., Прохорец, И. М., Кутний, В. Е., Рыбка, А. В., & ХажмурадовM. A. (2008). Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (3), 41-45. вилучено із https://tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.3.41
Номер
№ 3 (2008): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2008 Захарченко А. А., Прохорец И. М., Кутний В. Е., Рыбка А. В., Хажмурадов М. А.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.