Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
Ключові слова:
двухбазовая структура, токоперенос, фотовольтаический, примесный, слой объемного заряда, изотипный гетеропереход
Анотація
Исследованы фотоэлектрические характеристики созданных двухсторонне чувствительных двухбазовых Ag–N0Al0,2Ga0,8As–n+GaAs–n0Ga0,9In0,1As–Au-структур в фотодиодном и фотовольтаическом режимах при воздействии излучением, определяемом областью собственного поглощения каждого из гетерослоев. Полученные структуры представляют интерес как бесшумные фотоприемники для опто- и микроэлектроники.
Опубліковано
2008-06-30
Як цитувати
Ёдгорова, Д. М., Каримов, А. В., Гиясова, Ф. А., Саидова, Р. А., & Гиясова, Ф. А. (2008). Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (3), 46-49. вилучено із https://tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.3.46
Розділ
Articles
Авторське право (c) 2008 Ёдгорова Д. М., Каримов А. В., Гиясова Ф. А., Саидова Р. А.
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
