Осаждение пленок TiN и TiO2 в обращенном цилиндрическом магнетроне методом реактивного распыления

Анотація

Пред­став­ле­ны ре­зуль­та­ты ис­сле­до­ва­ния оп­ти­чес­ко­го из­лу­че­ния раз­ряд­ной плаз­мы в диа­па­зо­не волн 350 – 820 нм и на­пря­же­ния раз­ря­да об­ра­щен­но­го ци­лин­дри­чес­ко­го маг­не­тро­на при раз­лич­ных по­то­ках ре­ак­тив­ных га­зов (N₂, О₂). Из­ме­не­ние ве­ли­чи­ны раз­ряд­но­го на­пря­же­ния име­ет осо­бен­нос­ти, ко­то­рые мож­но со­по­ста­вить с сос­та­вом пле­нок и с ха­ра­кте­ром из­ме­не­ния ин­тен­сив­нос­ти спек­траль­ных ли­ний ато­мов ти­та­на и мо­ле­кул реа­ги­ру­ющих га­зов. По­ка­за­но, что кон­троль ре­жи­ма осаж­де­ния пле­нок TiN и TiO₂ мож­но про­во­дить как по ин­тен­сив­нос­ти из­лу­ча­емых плаз­мой ли­ний Ti, N₂, О₂, так и с по­мощью из­ме­ре­ния раз­ряд­но­го на­пря­же­ния Оп­ти­чес­кий кон­троль од­нов­ре­мен­но не­сколь­ких ком­по­нен­тов га­зо­вой сре­ды яв­ля­ет­ся бо­лее ин­фор­ма­тив­ным. Оп­ре­де­ле­ны оп­ти­маль­ные ус­ло­вия син­те­за пле­нок TiN и TiO₂ сте­хио­мет­ри­чес­ко­го сос­та­ва. Про­ве­ден рент­ге­но­фа­зо­вый ана­лиз, из­ме­ре­на ми­кро­твер­дость пле­нок TiN и по­ка­за­тель пре­лом­ле­ния пле­нок TiO₂, по­лу­чен­ных в оп­ти­маль­ных ус­ло­ви­ях.