Приборно-технологическое моделирование автоэмиссионных кремниевых микрокатодов

  • А. A. Дружинин Национальный университет «Львовская политехника», Украина
  • В. И. Голота Национальный университет «Львовская политехника», Украина
  • И. Т. Когут Прикарпатский национальный университет имени Василия Стефаника, Ивано-Франковск, Украина
  • С. В. Сапон Национальный университет «Львовская политехника», Украина
  • Ю. М. Ховерко Национальный университет «Львовская политехника», Украина
Ключові слова: цифровая литография, автоэмиссионный микрокатод, стабильная автоэмиссия, локальные структуры, “кремний-на-изоляторе”, электрическая схема

Анотація

Предложена структура системы преобразования топологической информации для цифровой литографии. Разработан метод формирования локальных трехмерных КНИ-структур, который позволяет создавать как планарные, так и трехмерные приборные элементы и контакты. На КНИ-структурах разработан управляющий высоковольтный МОП-транзистор и ячейка памяти с формирователем сигналов для хранения топологической информации. Экспертная оптимизация топологии ячейки памяти позволила значительно уменьшить ее площадь по сравнению с площадью ячейки, изготовленной по стандартной n-канальной МОП-технологии.

Опубліковано
2008-10-30
Як цитувати
ДружининА. A., Голота, В. И., Когут, И. Т., Сапон, С. В., & Ховерко, Ю. М. (2008). Приборно-технологическое моделирование автоэмиссионных кремниевых микрокатодов. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (5), 43-49. вилучено із https://tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.5.43
Номер
№ 5 (2008): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2008 Дружинин А. А., Голота В. И., Когут И. Т., Сапон С. В., Ховерко Ю. М.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.