Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs

  • А. С. Гаркавенко Фирма «Гайстескрафт», Корнвестхайм, Германия
Ключові слова: спектр излучения, лазер, электронная накачка, радиационная модификация, арсенид галлия

Анотація

Исследовано влияние уровня возбуждения и температуры на параметры излучения лазеров, созданных на основе модифицированных с помощью радиационных технологий кристаллов GaAs n-типа с высокой оптической однородностью.

Опубліковано
2011-10-17
Як цитувати
Гаркавенко, А. С. (2011). Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (5), 27-30. вилучено із https://tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.5.27
Номер
№ 5 (2011): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2011 Гаркавенко А. Сю

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.