№ 5 (2012): Технология и конструирование в электронной аппаратуре

Articles

• Многоуровневые платы с толстопленочной полимерной изоляцией

  В. Г. Спирин

  3-7

  • PDF
• Светодиодные показывающие электроизмерительные устройства на многопороговых компараторах

  Г. А. Оборский, В. И. Ковальков, B. H. Тихенко, П. Т. Слободяник

  8-13

  • PDF
• Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом

  Е. А. Ермоленко, А. Ф. Бондаренко, А. Н. Баранов

  14-18

  • PDF
• Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом

  A. A. Дружинин, И. П. Островский, Ю. Н. Ховерко, С. И. Ничкало, P. H. Корецкий

  19-21

  • PDF
• Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического элек­три­чес­тва

  В. А. Солодуха, A. C. Турцевич, Я. А. Соловьёв, И. И. Рубцевич, А. Ф. Керенцев

  22-26

  • PDF
• Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si

  A. B. Семенов, А. А. Козловский, В. М. Пузиков

  27-30

  • PDF
• Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра

  Ю. Г. Добровольский

  31-34

  • PDF
• Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-ба­рь­ер­ных УФ-фотоприемников

  Ю. Н. Бобренко, B. H. Комащенко, H. B. Ярошенко, Г. И. Ше­ре­ме­то­ва, Б. С. Атдаев

  35-38

  • PDF
• Технология создания легированных бором слоев на алмазе

  K. H. Зяблюк, А. Ю. Митягин, Н. Х. Талипов, Г. В. Чучева, М. П. Духновский, P. A. Хмельницкий

  39-43

  • PDF
• Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром

  A. C. Турцевич, И. И. Рубцевич, Я. А. Соловьев, O. C. Васьков, B. K. Кононенко, B. C. Нисс, A. Ф. Керенцев

  44-47

  • PDF
• Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем

  C. H. Дранчук, B. A. За­вад­ский, B. A. Мокрицкий

  48-51

  • PDF